据麦姆斯咨询报道，滨松光子学株式会社（Hamamatsu Photonics）近日宣布批量生产了一种不使用欧盟委员会RoHS限制物质的中红外化合物半导体探测器。 这款化合物光电半导体由2000多层砷化铟（InAs）和锑化镓（GaSb）薄膜层在基板上交替层叠构成。 左图为普通化合物半导体器件，右图为Hamamatsu率先量产的中红外化合物半导体探测器。
普通半导体器件的光接收层采用的是单一材料，而Hamamatsu的该产品采用的是2000层以上厚度为数纳米的InAs和GaSb薄膜在基板上交替层叠形成的光接收层。 该探测器能够感知波长为14.3 um的中红外光，且不使用中红外探测器常用的汞和镉材料。这些材料现在已是欧盟RoHS指令下的限制有害物。 Hamamatsu称，这款新产品非常适用于傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR）分光光度计等分析仪器，这些仪器依赖中红外光来识别空气、食品和药物中所含的物质。
这款新产品还可以取代常用于气体组分分析仪和红外测温仪的现有中红外探测器。 探测可见光主要采用的是由硅（Si）材料制成的光学半导体器件，但要检测波长比可见光长的中红外光，则需要使用组合多种材料的化合物半导体器件。然而，这些化合物光电半导体结构的大规模批量生产难度很大。
Hamamatsu声称它们是第一家批量生产这种II型超晶格红外探测器的公司。
其制造技术能够精确交替层叠具有均匀厚度、反复重复的InAs和GaSb薄膜。
