美国时间12月5日，II-VI公司宣布签署了一项总金额超过1亿美元的多年协议，为部署在5G无线基站的氮化镓（GaN）射频功率放大器提供碳化硅（SiC）衬底。这是II-VI公司自成立以来签署的金额最大的一笔订单。
5G无线服务的加速推出，正在推动5G无线供应链生态系统中更深层次的战略关系以满足市场窗口期的需求。作为4G和5G市场高质量SiC衬底的全球领先供应商，II-VI拥有丰富的经验，而这份新协议正是以此为基础签订的。
II-VI公司宽带隙半导体事业部副总裁Gary Ruland博士说：“与Si衬底的GaN射频功率放大器相比，SiC衬底的GaN射频功率放大器在5G工作频率的宽频谱范围内（从低千兆赫到毫米波）具有优越的性能。客户选择与II-VI建立战略合作伙伴关系，是因为我们长期以来在衬底直径更大、晶体质量更好等方面保持行业领先水平，并不断推动技术向前发展。
II-VI公司最近推出的200毫米SiC半绝缘衬底是世界首款，这将使我们的客户在未来实现大规模生产。” 凭借30项有效专利的强大知识产权组合，II-VI正以包括晶体生长、衬底制造和抛光在内的高度差异化的专有技术推动SiC衬底的技术水平。II-VI还通过建立垂直集成的150毫米GaN-on-SiC HEMT器件制造平台，以扩展其驱动5G射频半导体路线图的能力。
除SiC基板外，II-VI还为无线光接入基础设施提供了强大的波长管理解决方案和收发器阵列。 简而言之，II-VI为即将到来的大规模5G部署做好了准备，能够提供广泛的材料、设备、组件和子系统。
