2019年12月31日，工业和信息化部发布关于印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2019年版）》的通告（工信部装函（2019）428号）。自2020年1月1日起执行。其中，共计573台（套）重大技术装备列入该目录，涉及电子元件行业相关的技术装备有15台（套），具体如下： 编号 产品名称 单位 主要技术指标 （一）集成电路生产装备 1 硅外延生产设备 台 晶圆尺寸≥300mm；工艺温度：1100~1500；片内厚度均匀性≤2%；电阻率片内均匀性≤3%；表面无滑移线；适用于不同规格衬底上N型、P型硅材料的外延生长 2 介质刻蚀机 台 晶圆尺寸≥300mm；刻蚀能力≥40:1；线宽≤14nm，控制精度：±2nm 3 高密度等离子刻蚀机 台 晶圆尺寸≥300mm；刻蚀均匀性：±5%，线宽≤14nm，控制精度：±2nm；刻蚀材料为硅、金属和化合物材料 4 光刻机 台 （1）扫描式：光源波长 193nm，分辨率（CD）90nm，单机套刻（OVLSMO）15nm；
在 90nm 线 条情况下，焦深 DOF≥0.3μm（密集线）、DOF≥0.2μm（孤立线），6.9nm 线条均匀性（CDU）≤10%； 满足 200～300mm 半导体圆片多种工艺光刻需求 （2）分步重复投影式：满足 200～300mm 导体圆片多种工艺光刻需求；线宽≤90nm 5 离子注入机 台 （1）中束流离子注入机：晶圆尺寸≤300mm；单片注入模式，硅片传输效率≥450pcs/h；注入均匀性≤0.5%；注入重复性≤0.5%；能量范围：2～900keV （2）大束流离子注入机：晶圆尺寸≤300mm；单片注入模式，硅片传输效率≥450pcs/h；注入均匀性≤1%；注入重复性≤1%；能量范围：200～50keV （3）高能离子注入机：晶圆尺寸≤300mm；单片注入模式，硅片传输效率≥450pcs/h；
注入均匀性 ≤0.5%；注入重复性≤0.5%；能量范围：2～1500keV 6 原子层沉积设备（ALD） 台 薄膜每层厚度≤10nm；厚度控制精度≤0.2nm；用于加工各种半导体和集成电路 7 化学机械抛光机（CMP） 台 晶圆尺寸：200～300mm；uptime≥80%；铜抛光：表面均匀性≤5%，粗糙度≤5nm；介质抛光：表面均匀性≤5%，粗糙度≤5nm 8 匀胶显影机 台 晶圆尺寸≥300mm； （1）ArF TOK P6111；膜厚厚度：270nm；膜厚均匀性：3-Sigma，片内均匀性≤1.6nm；片间均匀 性≤0.9nm；批间均匀性≤0.9nm （2）KrF BARC：DUV 142；膜厚厚度：70nm、90nm；膜厚均匀性：3-Sigma，片内均匀性≤0.9nm；片间均匀性≤0.6m；批间均匀性≤0.6nm （3）I-Line PR：C7310；膜厚厚度：1210nm；膜厚均匀性：3-Sigma，片内均匀性≤2.7nm；片间均匀性≤2.7nm；批间均匀性≤2.7nm （二）片式元件生产设备 9 电子陶瓷薄膜流延机 台 最高载带传送速度≥5000mm/min，最大涂膜宽度≥220mm；
最高温度≥120℃，温控偏差:±4℃ 10 多层陶瓷电容（MLCC）印刷机 台 膜卷最大可安装直径≥500mm；最大印刷区域≥400mm*400mm；
印刷工作台表面与网框底面的平行度≤10μm；印刷工作台表面与印刷投的平行度≤30μm；最大生产效率≥15张/分钟 11 薄膜叠层机 台 叠片尺寸≥225mm*225mm；图像对位精度：±5μm；传送方式：卷对卷 （三）其他电子专用设备 12 全自动固化系统光纤高速拉丝装备 台 拉丝速度：2800~3000m/min；可拉光棒直径：150~180mm；塔高≥28m；实现1t涂料连续使用 13 大尺寸光纤预制棒沉积设备 套 （1）VAD工艺：VAD沉积速率≥16g/min （2）OVD工艺：OVD沉积速率≥150g/min 14 高端材料用高温高真空烧结炉 台 均温区≥1000mm*2000mm，最高工作温度≥2600℃；极限真空度≤1*10-4Pa 15 高处度低羟基石英玻璃沉积设备 套 沉积速率≥20g/min；烧结后玻璃化芯棒直径≥300mm；金属杂质≤0.1ppm；羟基含量≤1ppm
